曲靖净化工程中温湿度的决定性条件是什么

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在曲靖净化工程中温湿度的决定性条件是什么

净化工程的具体过程有不同的温度要求，但作为一般原则随着加工精度越来越精细，对温度波动范围的要求越来越小。

例如，在用于大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中，要求玻璃和作为掩模材料的硅晶片之间的热膨胀系数的差异越来越小。直径为100微米温度上升1度的硅片导致0.24微米的线性膨胀，因此它必须具有0.1度的恒定温度，并且湿度值通常较低，因为在人出汗之后 ，该产品将受到污染，尤其是一个害怕钠的半导体车间，该净化项目不应超过25度。

净化项目中的过度湿度会产生更多问题。当相对湿度超过55%时，冷却水管壁上会形成冷凝水。如果它发生在精密设备或电路中，将导致各种事故。

相对湿度为50%时容易生锈。另外，当湿度太高时附着在硅晶片表面上的灰尘被空气中的水分子化学吸附在表面上难以除去。

相对湿度越高去除越困难，但当相对湿度低于30%时，由于静电力，颗粒也容易吸附到表面，并且大量半导体器件易于击穿晶片生产的优选温度范围是35-45%。

此外，相对湿度有许多因素可能会降低净化项目的整体性能，包括：细菌生长房间在室温下感觉舒适的范围内的静电荷，金属腐蚀水蒸气凝结降解光刻等。

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